RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
47
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2833
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link