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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
50
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
50
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2512
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
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