RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
101
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
101
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
1313
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link