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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
47
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2191
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
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