RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
47
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
40
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
2959
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link