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Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
48
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.9
8.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
4.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
35
48
Velocidade de leitura, GB/s
8.4
8.9
Velocidade de escrita, GB/s
4.5
5.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1310
1420
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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