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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
44
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
2170
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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