RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
42
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
2945
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905403-060.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link