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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1933
2711
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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