RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
76
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
76
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1809
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link