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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2804
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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