RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3001
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link