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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3597
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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