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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2855
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
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