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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2587
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
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