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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
139
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
139
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1152
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
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