RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
45
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3273
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link