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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2744
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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