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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
66
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
66
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1909
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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