RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
45
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3040
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link