RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3045
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link