RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
45
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3234
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link