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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2756
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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