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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
45
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2994
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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