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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
54
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1904
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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