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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
54
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2259
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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