RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
71
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
71
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1767
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link