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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
65
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
65
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1932
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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