RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3482
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link