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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1548
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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