RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
85
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
85
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
1772
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link