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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
45
Por volta de -137% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
19
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3220
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
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