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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2230
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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