RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2633
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link