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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2585
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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