RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
44
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2841
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link