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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
45
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2307
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
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PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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