RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
45
Por volta de -165% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
17
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
22.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
17.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3731
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Mushkin 994083 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link