RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3518
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link