RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
51
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
5.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
5.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
1081
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link