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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2656
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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