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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2478
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
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