RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
45
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3567
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link