RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
45
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2460
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link