RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
45
Por volta de -73% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3857
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link