RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de -67% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3561
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link