RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
45
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2907
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link