RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2942
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link