RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
45
Por volta de -105% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2682
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link