RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
45
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3120
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link